U634H256XSK35,U634H256XSK35 pdf中文资料,U634H256XSK35引脚图,U634H256XSK35电路-Datasheet-电子工程世界

U634H256XSK35: 产品描述Non-Volatile SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, 3.73 X 9.62 MM, DIE-35; 产品类别存储存储; 文件大小258KB，共17页; 制造商Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)

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U634H256XSK35概述

Non-Volatile SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, 3.73 X 9.62 MM, DIE-35

U634H256XSK35规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)
零件包装代码	DIE
包装说明	3.73 X 9.62 MM, DIE-35
针数	35
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	35 ns
JESD-30 代码	R-XUUC-N35
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	35
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	32KX8
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIE
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	UNCASED CHIP
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	NO LEAD
端子位置	UPPER

U634H256XSK35相似产品对比

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描述	Non-Volatile SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, 3.73 X 9.62 MM, DIE-35	Non-Volatile SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, 3.73 X 9.62 MM, DIE-35	Non-Volatile SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, 3.73 X 9.62 MM, DIE-35	Non-Volatile SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, 3.73 X 9.62 MM, DIE-35	Non-Volatile SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, 3.73 X 9.62 MM, DIE-35	Non-Volatile SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, 3.73 X 9.62 MM, DIE-35
厂商名称	Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)	Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)	Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)	Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)	Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)	Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)
零件包装代码	DIE	DIE	DIE	DIE	DIE	DIE
包装说明	3.73 X 9.62 MM, DIE-35	DIE,	DIE,	3.73 X 9.62 MM, DIE-35	DIE,	DIE,
针数	35	35	35	35	35	35
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	35 ns	45 ns	25 ns	35 ns	25 ns	45 ns
JESD-30 代码	R-XUUC-N35	R-XUUC-N35	R-XUUC-N35	R-XUUC-N35	R-XUUC-N35	R-XUUC-N35
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	NON-VOLATILE SRAM	NON-VOLATILE SRAM	NON-VOLATILE SRAM	NON-VOLATILE SRAM	NON-VOLATILE SRAM	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	35	35	35	35	35	35
字数	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000	32000	32000	32000	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C
组织	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIE	DIE	DIE	DIE	DIE	DIE
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER

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