电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

U634H256XSK45

产品描述Non-Volatile SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, 3.73 X 9.62 MM, DIE-35
产品类别存储    存储   
文件大小258KB,共17页
制造商Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

U634H256XSK45概述

Non-Volatile SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, 3.73 X 9.62 MM, DIE-35

U634H256XSK45规格参数

参数名称属性值
厂商名称Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)
零件包装代码DIE
包装说明DIE,
针数35
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间45 ns
JESD-30 代码R-XUUC-N35
内存密度262144 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量35
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIE
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER

U634H256XSK45相似产品对比

U634H256XSK45 U634H256XSC25 U634H256XSC35 U634H256XSK25 U634H256XSC45 U634H256XSK35
描述 Non-Volatile SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, 3.73 X 9.62 MM, DIE-35 Non-Volatile SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, 3.73 X 9.62 MM, DIE-35 Non-Volatile SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, 3.73 X 9.62 MM, DIE-35 Non-Volatile SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, 3.73 X 9.62 MM, DIE-35 Non-Volatile SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, 3.73 X 9.62 MM, DIE-35 Non-Volatile SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, 3.73 X 9.62 MM, DIE-35
厂商名称 Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT) Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT) Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT) Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT) Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT) Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)
零件包装代码 DIE DIE DIE DIE DIE DIE
包装说明 DIE, DIE, 3.73 X 9.62 MM, DIE-35 DIE, DIE, 3.73 X 9.62 MM, DIE-35
针数 35 35 35 35 35 35
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 45 ns 25 ns 35 ns 25 ns 45 ns 35 ns
JESD-30 代码 R-XUUC-N35 R-XUUC-N35 R-XUUC-N35 R-XUUC-N35 R-XUUC-N35 R-XUUC-N35
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 35 35 35 35 35 35
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C
组织 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIE DIE DIE DIE DIE DIE
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 603  999  1158  1271  1462 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved