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BBY51-03W

产品描述5.4 pF, 7 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小28KB,共3页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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BBY51-03W概述

5.4 pF, 7 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE

BBY51-03W规格参数

参数名称属性值
厂商名称SIEMENS
包装说明R-PDSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最小击穿电压7 V
配置SINGLE
最小二极管电容比1.55
标称二极管电容5.3 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大反向电流0.01 µA
反向测试电压6 V
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
变容二极管分类HYPERABRUPT
Base Number Matches1

BBY51-03W相似产品对比

BBY51-03W Q62702-B663
描述 5.4 pF, 7 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE 5.4 pF, 7 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
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