microCMOS Programmable 16/64 Mbit Dynamic RAM Controller/Driver
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | QCCJ, LDCC84,1.2SQ |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 地址总线宽度 | 24 |
| 边界扫描 | NO |
| 最大时钟频率 | 40 MHz |
| 外部数据总线宽度 | |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J84 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 29.3116 mm |
| 低功率模式 | NO |
| 内存组织 | 16M X 1 |
| 区块数量 | 4 |
| 端子数量 | 84 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC84,1.2SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大压摆率 | 260 mA |
| 最大供电电压 | 5.25 V |
| 最小供电电压 | 4.75 V |
| 标称供电电压 | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 29.3116 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | MEMORY CONTROLLER, DRAM |
| Base Number Matches | 1 |
| DP8440V-40 | DP8440-40 | DP8440VLJ-25 | DP8440VLJ-40 | DP8441VLJ-25 | DP8441VLJ-40 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | microCMOS Programmable 16/64 Mbit Dynamic RAM Controller/Driver | microCMOS Programmable 16/64 Mbit Dynamic RAM Controller/Driver | microCMOS Programmable 16/64 Mbit Dynamic RAM Controller/Driver | microCMOS Programmable 16/64 Mbit Dynamic RAM Controller/Driver | microCMOS Programmable 16/64 Mbit Dynamic RAM Controller/Driver | microCMOS Programmable 16/64 Mbit Dynamic RAM Controller/Driver |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | QCCJ, LDCC84,1.2SQ | - | QFP, QFP100,.7X.9 | QFP, QFP100,.7X.9 | QFP, QFP100,.7X.9 | QFP, QFP100,.7X.9 |
| Reach Compliance Code | unknow | - | unknow | unknow | unknow | unknow |
| 地址总线宽度 | 24 | - | 24 | 24 | 26 | 26 |
| 边界扫描 | NO | - | NO | NO | NO | NO |
| 最大时钟频率 | 40 MHz | - | 25 MHz | 40 MHz | 25 MHz | 40 MHz |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J84 | - | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 29.3116 mm | - | 20 mm | 20 mm | 20 mm | 20 mm |
| 低功率模式 | NO | - | NO | NO | NO | NO |
| 内存组织 | 16M X 1 | - | 16M X 1 | 16M X 1 | 64M X 1 | 64M X 1 |
| 区块数量 | 4 | - | 4 | 4 | 4 | 4 |
| 端子数量 | 84 | - | 100 | 100 | 100 | 100 |
| 最高工作温度 | 70 °C | - | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ | - | QFP | QFP | QFP | QFP |
| 封装等效代码 | LDCC84,1.2SQ | - | QFP100,.7X.9 | QFP100,.7X.9 | QFP100,.7X.9 | QFP100,.7X.9 |
| 封装形状 | SQUARE | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | - | FLATPACK | FLATPACK | FLATPACK | FLATPACK |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | - | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | - | 3 mm | 3 mm | 3 mm | 3 mm |
| 最大压摆率 | 260 mA | - | 260 mA | 260 mA | 260 mA | 260 mA |
| 最大供电电压 | 5.25 V | - | 5.25 V | 5.25 V | 5.25 V | 5.25 V |
| 最小供电电压 | 4.75 V | - | 4.75 V | 4.75 V | 4.75 V | 4.75 V |
| 标称供电电压 | 5 V | - | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | - | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | - | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND | - | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | - | 0.65 mm | 0.65 mm | 0.65 mm | 0.65 mm |
| 端子位置 | QUAD | - | QUAD | QUAD | QUAD | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 29.3116 mm | - | 14 mm | 14 mm | 14 mm | 14 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | MEMORY CONTROLLER, DRAM | - | MEMORY CONTROLLER, DRAM | MEMORY CONTROLLER, DRAM | MEMORY CONTROLLER, DRAM | MEMORY CONTROLLER, DRAM |
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