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SMJ626162-12HKD

产品描述1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 8ns, CDFP50, 0.650 INCH, CERAMIC, DFP-50
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文件大小629KB,共42页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

SMJ626162-12HKD概述

1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 8ns, CDFP50, 0.650 INCH, CERAMIC, DFP-50

SMJ626162-12HKD规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码DFP
包装说明DFP, FL50,.67,32
针数50
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间8 ns
其他特性AUTO REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)83 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-CDFP-F50
长度21 mm
内存密度16777216 bi
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量50
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装等效代码FL50,.67,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度3.55 mm
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式FLAT
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度16.5 mm

SMJ626162-12HKD相似产品对比

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描述 1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 8ns, CDFP50, 0.650 INCH, CERAMIC, DFP-50 1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 10ns, CDFP50, 0.650 INCH, CERAMIC, DFP-50 1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 9ns, CDFP50, 0.650 INCH, CERAMIC, DFP-50 1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 9ns, CDFP50, 0.650 INCH, CERAMIC, DFP-50 1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 8ns, CDFP50, 0.650 INCH, CERAMIC, DFP-50
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 DFP DFP DFP DFP DFP
包装说明 DFP, FL50,.67,32 DFP, DFP, FL50,.67,32 DFP, DFP,
针数 50 50 50 50 50
Reach Compliance Code _compli unknown not_compliant unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 8 ns 10 ns 9 ns 9 ns 8 ns
其他特性 AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH
JESD-30 代码 R-CDFP-F50 R-CDFP-F50 R-CDFP-F50 R-CDFP-F50 R-CDFP-F50
长度 21 mm 21 mm 21 mm 21 mm 21 mm
内存密度 16777216 bi 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1
端子数量 50 50 50 50 50
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 1MX16 1MX16 1MX16 1MX16 1MX16
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DFP DFP DFP DFP DFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.55 mm 3.55 mm 3.55 mm 3.55 mm 3.55 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 16.5 mm 16.5 mm 16.5 mm 16.5 mm 16.5 mm
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE -
刷新周期 4096 4096 4096 4096 -
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