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MK41H69N-25: 产品描述4KX4 STANDARD SRAM, 25ns, PDIP20, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20; 产品类别存储存储; 文件大小573KB，共11页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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MK41H69N-25概述

4KX4 STANDARD SRAM, 25ns, PDIP20, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20

MK41H69N-25规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	DIP
包装说明	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20
针数	20
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	25 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T20
JESD-609代码	e0
长度	26.289 mm
内存密度	16384 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	20
字数	4096 words
字数代码	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4KX4
输出特性	3-STATE
可输出	NO
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP20,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.334 mm
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm

MK41H69N-25相似产品对比

	MK41H69N-25	MK41H68N-35	MK41H69N-20	MK41H68N-25	MK41H68N-20
描述	4KX4 STANDARD SRAM, 25ns, PDIP20, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20	4KX4 STANDARD SRAM, 35ns, PDIP20, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20	4KX4 STANDARD SRAM, 20ns, PDIP20, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20	4KX4 STANDARD SRAM, 25ns, PDIP20, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20	4KX4 STANDARD SRAM, 20ns, PDIP20, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20
针数	20	20	20	20	20
Reach Compliance Code	_compli	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	25 ns	35 ns	20 ns	25 ns	20 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T20	R-PDIP-T20	R-PDIP-T20	R-PDIP-T20	R-PDIP-T20
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
长度	26.289 mm	26.289 mm	26.289 mm	26.289 mm	26.289 mm
内存密度	16384 bi	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1
端子数量	20	20	20	20	20
字数	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words
字数代码	4000	4000	4000	4000	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4KX4	4KX4	4KX4	4KX4	4KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	NO	NO	NO	NO	NO
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP20,.3	DIP20,.3	DIP20,.3	DIP20,.3	DIP20,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.334 mm	5.334 mm	5.334 mm	5.334 mm	5.334 mm
最小待机电流	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm

MK41H69N-25

MK41H69N-25概述

MK41H69N-25规格参数

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