9.3A, 100V, 0.36ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | SEMELAB |
零件包装代码 | TO-220M |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-MSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (ID) | 9.3 A |
最大漏源导通电阻 | 0.36 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-MSFM-T3 |
JESD-609代码 | e1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 37 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
IRFY9130-JQR-BR1 | IRFY9130-QR-BR1 | |
---|---|---|
描述 | 9.3A, 100V, 0.36ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN | 9.3A, 100V, 0.36ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | SEMELAB | SEMELAB |
零件包装代码 | TO-220M | TO-220M |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-MSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-MSFM-T3 |
针数 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | compli | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 100 V | 100 V |
最大漏极电流 (ID) | 9.3 A | 9.3 A |
最大漏源导通电阻 | 0.36 Ω | 0.36 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-MSFM-T3 | R-MSFM-T3 |
JESD-609代码 | e1 | e1 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | METAL | METAL |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 37 A | 37 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | TIN SILVER COPPER | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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