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HPA251R3

产品描述Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3JML, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小96KB,共4页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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HPA251R3概述

Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3JML, 3 PIN

HPA251R3规格参数

参数名称属性值
厂商名称SANYO
零件包装代码TO-3JML
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)25 A
集电极-发射极最大电压800 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)5
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)120 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

HPA251R3相似产品对比

HPA251R3 HPA251R2 HPA251R4
描述 Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3JML, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3JML, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3JML, 3 PIN
厂商名称 SANYO SANYO SANYO
零件包装代码 TO-3JML TO-3JML TO-3JML
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 TO-3JML, 3 PIN IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC) 25 A 25 A 25 A
集电极-发射极最大电压 800 V 800 V 800 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE) 5 4 7
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 120 W 120 W 120 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
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