Cache SRAM, 128KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | BGA, BGA119,7X17,50 |
| 针数 | 119 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 3.8 ns |
| 其他特性 | SELF TIMED WRITE CYCLE; BYTE WRITE |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 149 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B119 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 22 mm |
| 内存密度 | 4718592 bi |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 36 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 119 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 128KX36 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | BGA |
| 封装等效代码 | BGA119,7X17,50 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 2.5/3.3,3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.03 A |
| 最小待机电流 | 3.14 V |
| 最大压摆率 | 0.4 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 14 mm |
| KM736V789H-67 | KM736V789H-72 | KM736V789H-60 | KM736V789H-85 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Cache SRAM, 128KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | Cache SRAM, 128KX36, 4ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | Cache SRAM, 128KX36, 4ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | BGA | BGA | BGA | BGA |
| 包装说明 | BGA, BGA119,7X17,50 | BGA, BGA119,7X17,50 | BGA, BGA119,7X17,50 | BGA, BGA119,7X17,50 |
| 针数 | 119 | 119 | 119 | 119 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) | - | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
| 最长访问时间 | 3.8 ns | 4 ns | - | 4 ns |
| 其他特性 | SELF TIMED WRITE CYCLE; BYTE WRITE | SELF TIMED WRITE CYCLE; BYTE WRITE | - | SELF TIMED WRITE CYCLE; BYTE WRITE |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 149 MHz | 138 MHz | - | 117 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | - | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B119 | R-PBGA-B119 | - | R-PBGA-B119 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | - | e0 |
| 长度 | 22 mm | 22 mm | - | 22 mm |
| 内存密度 | 4718592 bi | 4718592 bit | - | 4718592 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM | CACHE SRAM | - | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 36 | 36 | - | 36 |
| 功能数量 | 1 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 119 | 119 | - | 119 |
| 字数 | 131072 words | 131072 words | - | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 | 128000 | - | 128000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | - | 70 °C |
| 组织 | 128KX36 | 128KX36 | - | 128KX36 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | - | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | BGA | BGA | - | BGA |
| 封装等效代码 | BGA119,7X17,50 | BGA119,7X17,50 | - | BGA119,7X17,50 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY | GRID ARRAY | - | GRID ARRAY |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | - | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 2.5/3.3,3.3 V | 2.5/3.3,3.3 V | - | 2.5/3.3,3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.03 A | 0.03 A | - | 0.03 A |
| 最小待机电流 | 3.14 V | 3.14 V | - | 3.14 V |
| 最大压摆率 | 0.4 mA | 0.375 mA | - | 0.35 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | - | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V | 3.135 V | - | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | - | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | - | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | - | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL | BALL | - | BALL |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | - | 1.27 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | - | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 14 mm | 14 mm | - | 14 mm |
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