KM736V789H-72,KM736V789H-72 pdf中文资料,KM736V789H-72引脚图,KM736V789H-72电路-Datasheet-电子工程世界

KM736V789H-72: 产品描述Cache SRAM, 128KX36, 4ns, CMOS, PBGA119, BGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小521KB，共17页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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KM736V789H-72概述

Cache SRAM, 128KX36, 4ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

KM736V789H-72规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA, BGA119,7X17,50
针数	119
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	4 ns
其他特性	SELF TIMED WRITE CYCLE; BYTE WRITE
最大时钟频率 (fCLK)	138 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0
长度	22 mm
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	119
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.03 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.375 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

KM736V789H-72相似产品对比

	KM736V789H-72	KM736V789H-60	KM736V789H-85	KM736V789H-67
描述	Cache SRAM, 128KX36, 4ns, CMOS, PBGA119, BGA-119	Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119	Cache SRAM, 128KX36, 4ns, CMOS, PBGA119, BGA-119	Cache SRAM, 128KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50
针数	119	119	119	119
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	4 ns	-	4 ns	3.8 ns
其他特性	SELF TIMED WRITE CYCLE; BYTE WRITE	-	SELF TIMED WRITE CYCLE; BYTE WRITE	SELF TIMED WRITE CYCLE; BYTE WRITE
最大时钟频率 (fCLK)	138 MHz	-	117 MHz	149 MHz
I/O 类型	COMMON	-	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	-	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0	-	e0	e0
长度	22 mm	-	22 mm	22 mm
内存密度	4718592 bit	-	4718592 bit	4718592 bi
内存集成电路类型	CACHE SRAM	-	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	36	-	36	36
功能数量	1	-	1	1
端子数量	119	-	119	119
字数	131072 words	-	131072 words	131072 words
字数代码	128000	-	128000	128000
工作模式	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	-	70 °C	70 °C
组织	128KX36	-	128KX36	128KX36
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	-	BGA	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50	-	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	-	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	2.5/3.3,3.3 V	-	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.03 A	-	0.03 A	0.03 A
最小待机电流	3.14 V	-	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.375 mA	-	0.35 mA	0.4 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	-	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	-	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	-	YES	YES
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	-	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	-	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	-	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm	-	14 mm	14 mm
厂商名称	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)

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