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K7R641884M-EC25T

产品描述Standard SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165
产品类别存储    存储   
文件大小445KB,共19页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准  
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K7R641884M-EC25T概述

Standard SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165

K7R641884M-EC25T规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明BGA, BGA165,11X15,40
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)250 MHz
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e1
内存密度75497472 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
端子数量165
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.5/1.8,1.8 V
认证状态Not Qualified
最小待机电流1.7 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40

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