Standard SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
包装说明 | BGA, BGA165,11X15,40 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 0.45 ns |
最大时钟频率 (fCLK) | 250 MHz |
I/O 类型 | SEPARATE |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 |
JESD-609代码 | e1 |
内存密度 | 75497472 bi |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 18 |
湿度敏感等级 | 3 |
端子数量 | 165 |
字数 | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 4MX18 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | BGA |
封装等效代码 | BGA165,11X15,40 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 1.5/1.8,1.8 V |
认证状态 | Not Qualified |
最小待机电流 | 1.7 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
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