60A, 40V, 0.0091ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AB, TO-252, MP-3Z, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
零件包装代码 | TO-252AB |
包装说明 | TO-252, MP-3Z, 3 PIN |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 40 V |
最大漏极电流 (ID) | 60 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0091 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-252AB |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 240 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
NP60N04ILF | NP60N04HLF | NP60N04ILF-AZ | NP60N04ILF-E1-AZ | |
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描述 | 60A, 40V, 0.0091ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AB, TO-252, MP-3Z, 3 PIN | 60A, 40V, 0.0091ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AB, TO-251, MP-3, 3 PIN | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,60A I(D),TO-252 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,60A I(D),TO-252 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
Reach Compliance Code | unknow | unknown | compliant | compliant |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | Single | Single |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
表面贴装 | YES | NO | YES | YES |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | - | 60 A | 60 A | 60 A |
最高工作温度 | - | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
最大功率耗散 (Abs) | - | 100 W | 100 W | 100 W |
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