NP60N04ILF-AZ,NP60N04ILF-AZ pdf中文资料,NP60N04ILF-AZ引脚图,NP60N04ILF-AZ电路-Datasheet-电子工程世界

NP60N04ILF-AZ: 产品描述TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,60A I(D),TO-252; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小278KB，共9页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/; 标准

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NP60N04ILF-AZ概述

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,60A I(D),TO-252

	NP60N04ILF-AZ	NP60N04HLF	NP60N04ILF-E1-AZ	NP60N04ILF
描述	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,60A I(D),TO-252	60A, 40V, 0.0091ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AB, TO-251, MP-3, 3 PIN	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,60A I(D),TO-252	60A, 40V, 0.0091ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AB, TO-252, MP-3Z, 3 PIN
是否Rohs认证	符合	不符合	符合	不符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code	compliant	unknown	compliant	unknow
配置	Single	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	Single	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
表面贴装	YES	NO	YES	YES
最大漏极电流 (Abs) (ID)	60 A	60 A	60 A	-
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	-
最大功率耗散 (Abs)	100 W	100 W	100 W	-

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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