HYS64T64020EM-3S-B2,HYS64T64020EM-3S-B2 pdf中文资料,HYS64T64020EM-3S-B2引脚图,HYS64T64020EM-3S-B2电路-Datasheet-电子工程世界

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HYS64T64020EM-3S-B2: 产品描述DDR DRAM Module, 64MX64, 0.45ns, CMOS, GREEN, MDIMM-214; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共36页; 制造商QIMONDA; 标准

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HYS64T64020EM-3S-B2概述

DDR DRAM Module, 64MX64, 0.45ns, CMOS, GREEN, MDIMM-214

HYS64T64020EM-3S-B2规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	QIMONDA
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM214,16
针数	214
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.45 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N214
内存密度	4294967296 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	214
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
组织	64MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM214,16
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大待机电流	0.064 A
最大压摆率	0.904 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.4 mm
端子位置	DUAL

HYS64T64020EM-3S-B2相似产品对比

	HYS64T64020EM-3S-B2	HYS64T64020EM-3.7-B2	HYS64T64020EM-2.5-B2	HYS64T64020EM-5-B2	HYS64T64020EM-3-B2
描述	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.45ns, CMOS, GREEN, MDIMM-214	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.5ns, CMOS, GREEN, MDIMM-214	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.4ns, CMOS, GREEN, MDIMM-214	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.6ns, CMOS, GREEN, MDIMM-214	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.45ns, CMOS, GREEN, MDIMM-214
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	QIMONDA	QIMONDA	QIMONDA	QIMONDA	QIMONDA
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM214,16	DIMM, DIMM214,16	DIMM, DIMM214,16	DIMM, DIMM214,16	DIMM, DIMM214,16
针数	214	214	214	214	214
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.45 ns	0.5 ns	0.4 ns	0.6 ns	0.45 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz	266 MHz	400 MHz	200 MHz	333 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N214	R-XDMA-N214	R-XDMA-N214	R-XDMA-N214	R-XDMA-N214
内存密度	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1
端子数量	214	214	214	214	214
字数	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words
字数代码	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	64MX64	64MX64	64MX64	64MX64	64MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM214,16	DIMM214,16	DIMM214,16	DIMM214,16	DIMM214,16
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	0.064 A	0.064 A	0.064 A	0.064 A	0.064 A
最大压摆率	0.904 mA	0.904 mA	0.924 mA	0.912 mA	0.912 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.4 mm	0.4 mm	0.4 mm	0.4 mm	0.4 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

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