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PHP3N60E127

产品描述TRANSISTOR 2.8 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小239KB,共6页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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PHP3N60E127概述

TRANSISTOR 2.8 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose Power

PHP3N60E127规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FAST SWITCHING
雪崩能效等级(Eas)171 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)2.8 A
最大漏源导通电阻4.4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)11 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

PHP3N60E127相似产品对比

PHP3N60E127 PHB3N60E118
描述 TRANSISTOR 2.8 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose Power TRANSISTOR 2.8 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknow unknown
其他特性 FAST SWITCHING FAST SWITCHING
雪崩能效等级(Eas) 171 mJ 171 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V 600 V
最大漏极电流 (ID) 2.8 A 2.8 A
最大漏源导通电阻 4.4 Ω 4.4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 11 A 11 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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