TRANSISTOR 2.8 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | FAST SWITCHING |
雪崩能效等级(Eas) | 171 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 600 V |
最大漏极电流 (ID) | 2.8 A |
最大漏源导通电阻 | 4.4 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 11 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
PHB3N60E118 | PHP3N60E127 | |
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描述 | TRANSISTOR 2.8 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power | TRANSISTOR 2.8 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose Power |
厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknow |
其他特性 | FAST SWITCHING | FAST SWITCHING |
雪崩能效等级(Eas) | 171 mJ | 171 mJ |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 600 V | 600 V |
最大漏极电流 (ID) | 2.8 A | 2.8 A |
最大漏源导通电阻 | 4.4 Ω | 4.4 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 11 A | 11 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | NO |
端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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