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BYV36B133

产品描述DIODE 1.6 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小387KB,共12页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BYV36B133概述

DIODE 1.6 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

BYV36B133规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
应用FAST SOFT RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.35 V
JESD-30 代码O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1.6 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

BYV36B133相似产品对比

BYV36B133 BYV36A113
描述 DIODE 1.6 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode DIODE 1.6 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 O-LALF-W2 O-LALF-W2
Reach Compliance Code unknow unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
应用 FAST SOFT RECOVERY FAST SOFT RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.35 V 1.35 V
JESD-30 代码 O-LALF-W2 O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流 30 A 30 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
最大输出电流 1.6 A 1.6 A
封装主体材料 GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 400 V 200 V
最大反向电流 5 µA 5 µA
最大反向恢复时间 0.1 µs 0.1 µs
表面贴装 NO NO
技术 AVALANCHE AVALANCHE
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
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