DIODE 1.6 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 包装说明 | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 应用 | FAST SOFT RECOVERY |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.35 V |
| JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 30 A |
| 元件数量 | 1 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 最大输出电流 | 1.6 A |
| 封装主体材料 | GLASS |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 200 V |
| 最大反向电流 | 5 µA |
| 最大反向恢复时间 | 0.1 µs |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | AVALANCHE |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL |
| Base Number Matches | 1 |
| BYV36A113 | BYV36B133 | |
|---|---|---|
| 描述 | DIODE 1.6 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | DIODE 1.6 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
| 包装说明 | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 应用 | FAST SOFT RECOVERY | FAST SOFT RECOVERY |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.35 V | 1.35 V |
| JESD-30 代码 | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 30 A | 30 A |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 相数 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C | -65 °C |
| 最大输出电流 | 1.6 A | 1.6 A |
| 封装主体材料 | GLASS | GLASS |
| 封装形状 | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM | LONG FORM |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 200 V | 400 V |
| 最大反向电流 | 5 µA | 5 µA |
| 最大反向恢复时间 | 0.1 µs | 0.1 µs |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | AVALANCHE | AVALANCHE |
| 端子形式 | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL | AXIAL |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
