IC 16K X 4 STANDARD SRAM, 15 ns, CDIP28, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28, Static RAM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.4 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 15 ns |
| I/O 类型 | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 65536 bi |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 4 |
| 负电源额定电压 | -5.2 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 16384 words |
| 字数代码 | 16000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 75 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 16KX4 |
| 输出特性 | OPEN-EMITTER |
| 可输出 | NO |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.4 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | -5.2 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.191 mm |
| 最大压摆率 | 0.24 mA |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BICMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL EXTENDED |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 10.16 mm |
| NM10494D15 | NM10494D10 | NM10494F10 | NM10494F15 | NM10494D12 | NM10494F12 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | IC 16K X 4 STANDARD SRAM, 15 ns, CDIP28, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28, Static RAM | IC 16K X 4 STANDARD SRAM, 10 ns, CDIP28, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28, Static RAM | IC 16K X 4 STANDARD SRAM, 10 ns, CDFP28, 0.762 MM PITCH, CERPACK-28, Static RAM | IC 16K X 4 STANDARD SRAM, 15 ns, CDFP28, 0.762 MM PITCH, CERPACK-28, Static RAM | IC 16K X 4 STANDARD SRAM, 12 ns, CDIP28, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28, Static RAM | IC 16K X 4 STANDARD SRAM, 12 ns, CDFP28, 0.762 MM PITCH, CERPACK-28, Static RAM |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.4 | DIP, DIP28,.4 | DFP, FL28,.5,30 | DFP, FL28,.5,30 | DIP, DIP28,.4 | DFP, FL28,.5,30 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknown | unknown | unknown | unknown | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 15 ns | 10 ns | 10 ns | 15 ns | 12 ns | 12 ns |
| I/O 类型 | SEPARATE | SEPARATE | SEPARATE | SEPARATE | SEPARATE | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T28 | R-CDIP-T28 | R-GDFP-F28 | R-GDFP-F28 | R-CDIP-T28 | R-GDFP-F28 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 65536 bi | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bi |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| 负电源额定电压 | -5.2 V | -5.2 V | -5.2 V | -5.2 V | -5.2 V | -5.2 V |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 28 | 28 | 28 | 28 | 28 | 28 |
| 字数 | 16384 words | 16384 words | 16384 words | 16384 words | 16384 words | 16384 words |
| 字数代码 | 16000 | 16000 | 16000 | 16000 | 16000 | 16000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 75 °C | 75 °C | 75 °C | 75 °C | 75 °C | 75 °C |
| 组织 | 16KX4 | 16KX4 | 16KX4 | 16KX4 | 16KX4 | 16KX4 |
| 输出特性 | OPEN-EMITTER | OPEN-EMITTER | OPEN-EMITTER | OPEN-EMITTER | OPEN-EMITTER | OPEN-EMITTER |
| 可输出 | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | DIP | DFP | DFP | DIP | DFP |
| 封装等效代码 | DIP28,.4 | DIP28,.4 | FL28,.5,30 | FL28,.5,30 | DIP28,.4 | FL28,.5,30 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | FLATPACK | FLATPACK | IN-LINE | FLATPACK |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | -5.2 V | -5.2 V | -5.2 V | -5.2 V | -5.2 V | -5.2 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.191 mm | 4.191 mm | 2.286 mm | 2.286 mm | 4.191 mm | 2.286 mm |
| 最大压摆率 | 0.24 mA | 0.24 mA | 0.24 mA | 0.24 mA | 0.24 mA | 0.24 mA |
| 表面贴装 | NO | NO | YES | YES | NO | YES |
| 技术 | BICMOS | BICMOS | BICMOS | BICMOS | BICMOS | BICMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL EXTENDED | COMMERCIAL EXTENDED | COMMERCIAL EXTENDED | COMMERCIAL EXTENDED | COMMERCIAL EXTENDED | COMMERCIAL EXTENDED |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | FLAT | FLAT | THROUGH-HOLE | FLAT |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 0.762 mm | 0.762 mm | 2.54 mm | 0.762 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 10.16 mm | 10.16 mm | 10.69 mm | 10.69 mm | 10.16 mm | 10.69 mm |
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