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DGB8083

产品描述Gunn Diode, 8.2GHz Min, 12.4GHz Max, Gallium Arsenide, Continuous Wave
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小288KB,共9页
制造商Alpha Industries
官网地址http://www.alphaind.com
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DGB8083概述

Gunn Diode, 8.2GHz Min, 12.4GHz Max, Gallium Arsenide, Continuous Wave

DGB8083规格参数

参数名称属性值
厂商名称Alpha Industries
包装说明O-CUPM-N1
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
应用CONTINUOUS WAVE
最小连续输出功率0.7 W
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料GALLIUM ARSENIDE
二极管类型GUNN DIODE
JESD-30 代码O-CUPM-N1
元件数量1
端子数量1
最大工作频率12.4 GHz
最小工作频率8.2 GHz
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
技术GUNN
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
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