UT8R512K8-15UWC,UT8R512K8-15UWC pdf中文资料,UT8R512K8-15UWC引脚图,UT8R512K8-15UWC电路-Datasheet-电子工程世界

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UT8R512K8-15UWC: 产品描述Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36; 产品类别存储存储; 文件大小177KB，共18页; 制造商Cobham PLC

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UT8R512K8-15UWC概述

Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36

UT8R512K8-15UWC规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Cobham PLC
包装说明	DFP, FL36,.5
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	15 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-CDFP-F36
长度	23.368 mm
内存密度	4194304 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	36
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DFP
封装等效代码	FL36,.5
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
电源	1.8,3.3 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度	3.048 mm
最大待机电流	0.0006 A
最小待机电流	1 V
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子形式	FLAT
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
总剂量	300k Rad(Si) V
宽度	14.732 mm

UT8R512K8-15UWC相似产品对比

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描述	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36
包装说明	DFP, FL36,.5	DFP, FL36,.5	QFF,	DFP, FL36,.5	DFP, FL36,.5	DFP, FL36,.5
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	15 ns	15 ns	15 ns	15 ns	15 ns	15 ns
JESD-30 代码	R-CDFP-F36	R-CDFP-F36	R-CDFP-F36	R-CDFP-F36	R-CDFP-F36	R-CDFP-F36
内存密度	4194304 bi	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	36	36	36	36	36	36
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
组织	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DFP	DFP	QFF	DFP	DFP	DFP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.048 mm	3.048 mm	3.048 mm	3.048 mm	3.048 mm	3.048 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	14.732 mm	14.732 mm	14.732 mm	14.732 mm	14.732 mm	14.732 mm
厂商名称	Cobham PLC	-	-	Cobham PLC	Cobham PLC	Cobham PLC
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	-	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A991.B.2.A
I/O 类型	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON
长度	23.368 mm	23.368 mm	-	23.368 mm	23.368 mm	23.368 mm
最高工作温度	125 °C	125 °C	-	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-	-55 °C	-55 °C	-40 °C
输出特性	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装等效代码	FL36,.5	FL36,.5	-	FL36,.5	FL36,.5	FL36,.5
电源	1.8,3.3 V	1.8,3.3 V	-	1.8,3.3 V	1.8,3.3 V	1.8,3.3 V
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	-	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流	0.0006 A	0.0006 A	-	0.0006 A	0.0006 A	0.0006 A
最小待机电流	1 V	1 V	-	1 V	1 V	1 V
最大压摆率	0.03 mA	0.03 mA	-	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA
温度等级	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	-	MILITARY	MILITARY	AUTOMOTIVE
总剂量	300k Rad(Si) V	300k Rad(Si) V	-	300k Rad(Si) V	300k Rad(Si) V	300k Rad(Si) V

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