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USF34

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 200V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小51KB,共2页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
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USF34概述

Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 200V V(RRM),

USF34规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Reach Compliance Codeunknow
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.92 V
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流3 A
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.02 µs
表面贴装NO

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BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
USF31 --- USF34
VOLTAGE RANGE: 50 --- 200 V
CURRENT: 3.0 A
SUPER FAST RECTIFIER
Low cost
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with alcohol,Isopropanol
and similar solvents
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
DO - 27
.052(1.3)
.048(1.2)
.217(5.5)
.193(4.9)
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO--27,molded plastic
Terminals: Axial lead ,solderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.041 ounces,1.15 grams
Mounting position: Any
1.0(25.4)MIN
.374(9.5)
.350(8.9)
1.0(25.4)MIN
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
USF31
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
USF32
100
70
100
3.0
USF33
150
105
150
USF34
200
140
200
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
125.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 3.0A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
0.92
10.0
500.0
20
20
20
- 55 ----- + 150
- 55 ----- + 150
V
A
ns
pF
/W
Maximum reverse recovery time (Note1)
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
(Note2)
(Note3)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE: 1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
www.galaxycn.com
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3. Thermal resistance f rom junction to ambient.
Document Number 0264030
BL
GALAXY ELECTRICAL
1
.

USF34相似产品对比

USF34 USF32
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 100V V(RRM),
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Reach Compliance Code unknow unknown
配置 SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.92 V 0.92 V
最大非重复峰值正向电流 125 A 125 A
元件数量 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C
最大输出电流 3 A 3 A
最大重复峰值反向电压 200 V 100 V
最大反向恢复时间 0.02 µs 0.02 µs
表面贴装 NO NO
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