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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IXTP36N30P
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IXTP36N30P

产品描述Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 300V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小248KB，共5页
制造商IXYS
标准  
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IXTP36N30P概述

Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 300V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

IXTP36N30P规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
零件包装代码TO-220AB
包装说明TO-220, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptiPolarHTTM Power MOSFET, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, 300V, 36A, 110 mΩ
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）1000 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压300 V
最大漏极电流 (ID)36 A
最大漏源导通电阻0.11 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)90 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IXTP36N30P相似产品对比

IXTP36N30P IXTA36N30P
描述 Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 300V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 300V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 IXYS IXYS
零件包装代码 TO-220AB D2PAK
包装说明 TO-220, 3 PIN TO-263, 3 PIN
针数 3 4
Reach Compliance Code compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
Samacsys Descripti PolarHTTM Power MOSFET, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, 300V, 36A, 110 mΩ MOSFET MOSFET N-CH 300V 36A
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas） 1000 mJ 1000 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 300 V 300 V
最大漏极电流 (ID) 36 A 36 A
最大漏源导通电阻 0.11 Ω 0.11 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3
元件数量 1 1
端子数量 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 90 A 90 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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