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IXKK94N60C

产品描述Power Field-Effect Transistor, 94A I(D), 600V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小556KB,共4页
制造商IXYS
标准  
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IXKK94N60C概述

Power Field-Effect Transistor, 94A I(D), 600V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN

IXKK94N60C规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
零件包装代码TO-264AA
包装说明TO-264, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompli
雪崩能效等级(Eas)1800 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)94 A
最大漏源导通电阻0.035 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-264AA
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IXKK94N60C相似产品对比

IXKK94N60C
描述 Power Field-Effect Transistor, 94A I(D), 600V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
厂商名称 IXYS
零件包装代码 TO-264AA
包装说明 TO-264, 3 PIN
针数 3
Reach Compliance Code compli
雪崩能效等级(Eas) 1800 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V
最大漏极电流 (ID) 94 A
最大漏源导通电阻 0.035 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-264AA
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e1
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 TIN SILVER COPPER
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
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