Cache Tag SRAM, 4KX4, 15ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, |
| 针数 | 24 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| 最长访问时间 | 15 ns |
| 其他特性 | MATCH OUTPUT |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T24 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 32.004 mm |
| 内存密度 | 16384 bi |
| 内存集成电路类型 | CACHE TAG SRAM |
| 内存宽度 | 4 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 24 |
| 字数 | 4096 words |
| 字数代码 | 4000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 4KX4 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| IDT7177S15DB | IDT7177S12D | IDT7177S12P | IDT7177S12Y | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Cache Tag SRAM, 4KX4, 15ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24 | Cache Tag SRAM, 4KX4, 12ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24 | Cache Tag SRAM, 4KX4, 12ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 | Cache Tag SRAM, 4KX4, 12ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | DIP | SOJ |
| 包装说明 | DIP, | DIP, | DIP, | SOJ, |
| 针数 | 24 | 24 | 24 | 24 |
| Reach Compliance Code | compli | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 15 ns | 12 ns | 12 ns | 12 ns |
| 其他特性 | MATCH OUTPUT | MATCH OUTPUT | MATCH OUTPUT | MATCH OUTPUT |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T24 | R-GDIP-T24 | R-PDIP-T24 | R-PDSO-J24 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 32.004 mm | 32.004 mm | 31.6865 mm | 15.88 mm |
| 内存密度 | 16384 bi | 16384 bit | 16384 bit | 16384 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE TAG SRAM | CACHE TAG SRAM | CACHE TAG SRAM | CACHE TAG SRAM |
| 内存宽度 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 24 | 24 | 24 | 24 |
| 字数 | 4096 words | 4096 words | 4096 words | 4096 words |
| 字数代码 | 4000 | 4000 | 4000 | 4000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 4KX4 | 4KX4 | 4KX4 | 4KX4 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 可输出 | YES | YES | YES | YES |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP | SOJ |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 | 225 | 225 | 225 |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm | 4.191 mm | 3.76 mm |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | J BEND |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 | 20 | 30 | 30 |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.62 mm |
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