IDT7177S12D概述

Cache Tag SRAM, 4KX4, 12ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24

IDT7177S12D规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP,
针数	24
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	12 ns
其他特性	MATCH OUTPUT
JESD-30 代码	R-GDIP-T24
JESD-609代码	e0
长度	32.004 mm
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	CACHE TAG SRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	24
字数	4096 words
字数代码	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4KX4
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	7.62 mm

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IDT7177S12D相似产品对比

	IDT7177S12D	IDT7177S12P	IDT7177S12Y	IDT7177S15DB
描述	Cache Tag SRAM, 4KX4, 12ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24	Cache Tag SRAM, 4KX4, 12ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24	Cache Tag SRAM, 4KX4, 12ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24	Cache Tag SRAM, 4KX4, 15ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	DIP	DIP	SOJ	DIP
包装说明	DIP,	DIP,	SOJ,	DIP,
针数	24	24	24	24
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	3A001.A.2.C
最长访问时间	12 ns	12 ns	12 ns	15 ns
其他特性	MATCH OUTPUT	MATCH OUTPUT	MATCH OUTPUT	MATCH OUTPUT
JESD-30 代码	R-GDIP-T24	R-PDIP-T24	R-PDSO-J24	R-GDIP-T24
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	32.004 mm	31.6865 mm	15.88 mm	32.004 mm
内存密度	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bi
内存集成电路类型	CACHE TAG SRAM	CACHE TAG SRAM	CACHE TAG SRAM	CACHE TAG SRAM
内存宽度	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	24	24	24	24
字数	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words
字数代码	4000	4000	4000	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	125 °C
组织	4KX4	4KX4	4KX4	4KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP	DIP	SOJ	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	4.191 mm	3.76 mm	5.08 mm
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	MILITARY
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	J BEND	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20	30	30	20
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm

推荐资源

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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