2-Megabit 2.3-volt or 2.7-volt Minimum SPI Serial Flash Memory
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Atmel (Microchip) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOP, SOP8,.25 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | 3A991.B.1.B.1 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 50 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 20 |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 4.925 mm |
| 内存密度 | 2097152 bi |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 2MX1 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 电源 | 2.5/3.3 V |
| 编程电压 | 2.7 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm |
| 串行总线类型 | SPI |
| 最大待机电流 | 0.000025 A |
| 最大压摆率 | 0.02 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |
| AT25DF021-SSHF-T | AT25DF021_09 | AT25DF021-MHF-Y | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 2-Megabit 2.3-volt or 2.7-volt Minimum SPI Serial Flash Memory | 2-Megabit 2.3-volt or 2.7-volt Minimum SPI Serial Flash Memory | 2-Megabit 2.3-volt or 2.7-volt Minimum SPI Serial Flash Memory |
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 |
| 厂商名称 | Atmel (Microchip) | - | Atmel (Microchip) |
| 零件包装代码 | SOIC | - | SON |
| 包装说明 | SOP, SOP8,.25 | - | VSON, SOLCC8,.25 |
| 针数 | 8 | - | 8 |
| Reach Compliance Code | unknow | - | unknow |
| ECCN代码 | 3A991.B.1.B.1 | - | 3A991.B.1.B.1 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 50 MHz | - | 50 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 20 | - | 20 |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles | - | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | - | R-XDSO-N8 |
| JESD-609代码 | e4 | - | e4 |
| 长度 | 4.925 mm | - | 6 mm |
| 内存密度 | 2097152 bi | - | 2097152 bi |
| 内存集成电路类型 | FLASH | - | FLASH |
| 内存宽度 | 1 | - | 1 |
| 功能数量 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 8 | - | 8 |
| 字数 | 2097152 words | - | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 | - | 2000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | - | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | - | -40 °C |
| 组织 | 2MX1 | - | 2MX1 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | SOP | - | VSON |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 | - | SOLCC8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE |
| 并行/串行 | SERIAL | - | SERIAL |
| 电源 | 2.5/3.3 V | - | 2.5/3.3 V |
| 编程电压 | 2.7 V | - | 2.7 V |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm | - | 0.6 mm |
| 串行总线类型 | SPI | - | SPI |
| 最大待机电流 | 0.000025 A | - | 0.000025 A |
| 最大压摆率 | 0.02 mA | - | 0.02 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | - | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V | - | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | - | 3 V |
| 表面贴装 | YES | - | YES |
| 技术 | CMOS | - | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | - | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | - | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING | - | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm | - | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | - | DUAL |
| 类型 | NOR TYPE | - | NOR TYPE |
| 宽度 | 3.9 mm | - | 5 mm |
| 写保护 | HARDWARE/SOFTWARE | - | HARDWARE/SOFTWARE |
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