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1N5621

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小66KB,共1页
制造商Central Semiconductor
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1N5621概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon,

1N5621规格参数

参数名称属性值
厂商名称Central Semiconductor
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码E-PALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ELLIPTICAL
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向恢复时间0.3 µs
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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1N5621 1N5617 055U1R5F251PT-C 1N5623
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 250V, 1% +Tol, 1% -Tol, NP0, -/+30ppm/Cel TC, 0.0000015uF, 0606, Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon,
Reach Compliance Code compli compli compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
JESD-609代码 e0 e0 e4 e0
端子数量 2 2 2 2
最高工作温度 175 °C 200 °C 125 °C 175 °C
封装形式 LONG FORM LONG FORM SMT LONG FORM
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD Palladium/Silver (Pd/Ag) TIN LEAD
外壳连接 ISOLATED ISOLATED - ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON - SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V - 1.2 V
JESD-30 代码 E-PALF-W2 E-PALF-W2 - E-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 50 A 50 A - 50 A
元件数量 1 1 - 1
最大输出电流 1 A 1 A - 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 ELLIPTICAL ELLIPTICAL - ELLIPTICAL
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
最大重复峰值反向电压 800 V 400 V - 1000 V
最大反向恢复时间 0.3 µs 0.15 µs - 0.5 µs
表面贴装 NO NO - NO
端子形式 WIRE WIRE - WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL - AXIAL
Base Number Matches 1 1 - 1
包装说明 - E-PALF-W2 , 0606 E-PALF-W2
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