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1N5623概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon,

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824

	1N5623	1N5617	1N5621	055U1R5F251PT-C
描述	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon,	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon,	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon,	Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 250V, 1% +Tol, 1% -Tol, NP0, -/+30ppm/Cel TC, 0.0000015uF, 0606,
Reach Compliance Code	compliant	compli	compli	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
JESD-609代码	e0	e0	e0	e4
端子数量	2	2	2	2
最高工作温度	175 °C	200 °C	175 °C	125 °C
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	SMT
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	Palladium/Silver (Pd/Ag)
包装说明	E-PALF-W2	E-PALF-W2	-	, 0606
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	-
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	-
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	-
最大正向电压 (VF)	1.2 V	1.2 V	1.2 V	-
JESD-30 代码	E-PALF-W2	E-PALF-W2	E-PALF-W2	-
最大非重复峰值正向电流	50 A	50 A	50 A	-
元件数量	1	1	1	-
最大输出电流	1 A	1 A	1 A	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装形状	ELLIPTICAL	ELLIPTICAL	ELLIPTICAL	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-
最大重复峰值反向电压	1000 V	400 V	800 V	-
最大反向恢复时间	0.5 µs	0.15 µs	0.3 µs	-
表面贴装	NO	NO	NO	-
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	-
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL	-
Base Number Matches	1	1	1	-

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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