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MA4T631039

产品描述L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小74KB,共8页
制造商TE Connectivity(泰科)
官网地址http://www.te.com
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MA4T631039概述

L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

MA4T631039规格参数

参数名称属性值
厂商名称TE Connectivity(泰科)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.01 A
基于收集器的最大容量0.55 pF
集电极-发射极最大电压6 V
配置SINGLE
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)12000 MHz

MA4T631039相似产品对比

MA4T631039 MA4T631033
描述 L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
厂商名称 TE Connectivity(泰科) TE Connectivity(泰科)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknow unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.01 A 0.01 A
基于收集器的最大容量 0.55 pF 0.55 pF
集电极-发射极最大电压 6 V 6 V
配置 SINGLE SINGLE
最高频带 L BAND L BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 4 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 12000 MHz 12000 MHz
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