MA4T631033,MA4T631033 pdf中文资料,MA4T631033引脚图,MA4T631033电路-Datasheet-电子工程世界

MA4T631033: 产品描述L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小74KB，共8页; 制造商TE Connectivity(泰科); 官网地址http://www.te.com

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MA4T631033概述

L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

	MA4T631033	MA4T631039
描述	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
厂商名称	TE Connectivity(泰科)	TE Connectivity(泰科)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	LOW NOISE	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)	0.01 A	0.01 A
基于收集器的最大容量	0.55 pF	0.55 pF
集电极-发射极最大电压	6 V	6 V
配置	SINGLE	SINGLE
最高频带	L BAND	L BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G4
元件数量	1	1
端子数量	3	4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	12000 MHz	12000 MHz

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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