KM44V4100ASLT-7,KM44V4100ASLT-7 pdf中文资料,KM44V4100ASLT-7引脚图,KM44V4100ASLT-7电路-Datasheet-电子工程世界

KM44V4100ASLT-7: 产品描述Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28/24; 产品类别存储存储; 文件大小289KB，共8页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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KM44V4100ASLT-7概述

Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28/24

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP24/28,.46
针数	28/24
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	70 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G24
JESD-609代码	e0
长度	18.41 mm
内存密度	16777216 bi
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	24
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP24/28,.46
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	2048
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	NO
最大待机电流	0.0002 A
最大压摆率	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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