电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MA792

产品描述Schottky Barrier Diodes (SBD)
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小62KB,共4页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MA792概述

Schottky Barrier Diodes (SBD)

MA792规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Panasonic(松下)
零件包装代码SC-79
包装说明R-PDSO-F3
针数3
制造商包装代码SMINI3-F1
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH SPEED SWITCH
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F3
元件数量1
端子数量3
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向恢复时间0.002 µs
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10

文档预览

下载PDF文档
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3Z792
(MA792)
Silicon epitaxial planar type
Unit: mm
For super high speed switching
For small current rectification
3
0.3
+0.1
–0
0.15
+0.1
–0.05
High-density mounting is possible
I
F(AV)
=
100 mA rectification is possible
Optimum for high frequency rectification because of its short
reverse recovery time (t
rr
)
Low forward voltage V
F
and good rectification efficiency
S-Mini type 3-pin package
1
2
(0.65) (0.65)
1.3
±0.1
2.0
±0.2
0.9
±0.1
0 to 0.1
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25°C
Parameter
Reverse voltage (DC)
Repetitive peak reverse-voltage
Peak forward current
Average forward current
Non-repetitive peak forward-
surge-current
*
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
R
V
RRM
I
FM
I
F(AV)
I
FSM
T
j
T
stg
Rating
30
30
300
100
1
125
−55
to
+125
Unit
V
V
mA
mA
A
1 : Anode
2 : N.C.
3 : Cathode
SMini3-F1 Package
Marking Symbol: M3T
Internal Connection
3
°C
°C
1
2
Note) *: The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine wave (non-repetitive)
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25°C
Parameter
Reverse current (DC)
Forward voltage (DC)
Terminal capacitance
Reverse recovery time
*
Symbol
I
R
V
F
C
t
t
rr
V
R
=
30 V
I
F
=
100 mA
V
R
=
0 V, f
=
1 MHz
I
F
=
I
R
=
100 mA
I
rr
=
10 mA, R
L
=
100
20
2.0
Conditions
Min
Typ
Max
15
0.55
Unit
µA
V
pF
ns
Note) 1. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body
and the leakage of current from the operating equipment.
2. Rated input/output frequency: 250 MHz 3. *: t
rr
measuring instrument
Bias Application Unit N-50BU
t
r
10%
Input Pulse
t
p
t
I
F
t
rr
t
I
rr
=
10 mA
I
F
=
100 mA
I
R
=
100 mA
R
L
=
100
Output Pulse
A
V
R
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
Wave Form Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
90%
t
p
=
2
µs
t
r
=
0.35 ns
δ =
0.05
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
Publication date: August 2001
SKH00096AED
(0.15)
(0.425)
I
Features
1.25
±0.1
2.1
±0.1
1

MA792相似产品对比

MA792 MA3Z792
描述 Schottky Barrier Diodes (SBD) Schottky Barrier Diodes (SBD)
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Panasonic(松下) Panasonic(松下)
零件包装代码 SC-79 SC-79
包装说明 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3
针数 3 3
制造商包装代码 SMINI3-F1 SMINI3-F1
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH SPEED SWITCH HIGH SPEED SWITCH
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最大输出电流 0.1 A 0.1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 30 V 30 V
最大反向恢复时间 0.002 µs 0.002 µs
表面贴装 YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 655  2749  946  1882  2644  35  44  10  26  2 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved