电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

MPLAD30KP280CAE3

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 280V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小383KB,共6页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
下载文档 详细参数 全文预览

MPLAD30KP280CAE3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
MPLAD30KP280CAE3 - - 点击查看 点击购买

MPLAD30KP280CAE3概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 280V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon

MPLAD30KP280CAE3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Microchip(微芯科技)
包装说明S-PSSO-G1
Reach Compliance Codecompli
其他特性HIGH RELIABILITY
最大击穿电压345 V
最小击穿电压311 V
击穿电压标称值328 V
外壳连接CATHODE
最大钳位电压451 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码S-PSSO-G1
最大非重复峰值反向功率耗散30000 W
元件数量1
端子数量1
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散2.5 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500
最大重复峰值反向电压280 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 294  858  1238  1569  1693 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved