IS46LD32160A-3BPLA1,IS46LD32160A-3BPLA1 pdf中文资料,IS46LD32160A-3BPLA1引脚图,IS46LD32160A-3BPLA1电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IS46LD32160A-3BPLA1

IS46LD32160A-3BPLA1: 产品描述DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PBGA168, FBGA-168; 产品类别存储存储; 文件大小8MB，共143页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

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IS46LD32160A-3BPLA1概述

DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PBGA168, FBGA-168

IS46LD32160A-3BPLA1规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	VFBGA,
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
其他特性	SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM
JESD-30 代码	S-PBGA-B168
JESD-609代码	e1
长度	12 mm
内存密度	536870912 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	168
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	16MX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
座面最大高度	0.95 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.3 V
最小供电电压 (Vsup)	1.14 V
标称供电电压 (Vsup)	1.2 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.5 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	10
宽度	12 mm

IS46LD32160A-3BPLA1相似产品对比

	IS46LD32160A-3BPLA1	IS43LD32160A-18BLI	IS46LD32160A-18BLA1	IS46LD32160A-18BLA2	IS46LD32160A-18BPLA1	IS46LD32160A-18BPLA2	IS46LD32160A-25BPLA2	IS46LD32160A-3BPLA2
描述	DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PBGA168, FBGA-168	DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PBGA134, FBGA-134	DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PBGA134, FBGA-134	DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PBGA134, FBGA-134	DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PBGA168, FBGA-168	DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PBGA168, FBGA-168	DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PBGA168, FBGA-168	DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PBGA168, FBGA-168
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	VFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	VFBGA,	VFBGA,	VFBGA,	VFBGA,
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
其他特性	SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM	SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM	SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM	SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM	SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM	SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM	SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM	SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM
JESD-30 代码	S-PBGA-B168	R-PBGA-B134	R-PBGA-B134	R-PBGA-B134	S-PBGA-B168	S-PBGA-B168	S-PBGA-B168	S-PBGA-B168
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1	e1	e1	e1	e1
长度	12 mm	11.5 mm	11.5 mm	11.5 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm
内存密度	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	32	32	32	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	168	134	134	134	168	168	168	168
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA
封装形状	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED	260	260	260	260	260	260
座面最大高度	0.95 mm	1.1 mm	1.1 mm	1.1 mm	0.95 mm	0.95 mm	0.95 mm	0.95 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.3 V	1.3 V	1.3 V	1.3 V	1.3 V	1.3 V	1.3 V	1.3 V
最小供电电压 (Vsup)	1.14 V	1.14 V	1.14 V	1.14 V	1.14 V	1.14 V	1.14 V	1.14 V
标称供电电压 (Vsup)	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.5 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	10	NOT SPECIFIED	10	10	10	10	10	10
宽度	12 mm	10 mm	10 mm	10 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm

IS46LD32160A-3BPLA1

IS46LD32160A-3BPLA1概述

IS46LD32160A-3BPLA1规格参数

IS46LD32160A-3BPLA1相似产品对比

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