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2N1720

产品描述Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小97KB,共1页
制造商Swampscott Electronics Co Inc
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2N1720概述

Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

2N1720规格参数

参数名称属性值
厂商名称Swampscott Electronics Co Inc
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.75 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)40
元件数量1
最高工作温度175 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)16 MHz

2N1720相似产品对比

2N1720 2N1719 2N1721
描述 Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 100V V(BR)CEO, NPN, Silicon, STR-10 Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
厂商名称 Swampscott Electronics Co Inc Swampscott Electronics Co Inc Swampscott Electronics Co Inc
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.75 A 0.75 A 0.75 A
集电极-发射极最大电压 60 V 100 V 100 V
配置 Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 40 20 40
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W 2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 16 MHz 16 MHz 16 MHz
元件数量 1 - 1
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