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CM0032DM-A033-01

产品描述DRAM Card, 8MX32, 70ns, MOS
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文件大小461KB,共2页
制造商Cubic Memory
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CM0032DM-A033-01概述

DRAM Card, 8MX32, 70ns, MOS

CM0032DM-A033-01规格参数

参数名称属性值
厂商名称Cubic Memory
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
JESD-30 代码X-XXMA-X88
内存密度268435456 bi
内存集成电路类型DRAM CARD
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量88
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度55 °C
最低工作温度
组织8MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状UNSPECIFIED
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UNSPECIFIED

CM0032DM-A033-01相似产品对比

CM0032DM-A033-01 CM0016DM-A033-01
描述 DRAM Card, 8MX32, 70ns, MOS DRAM Card, 4MX32, 70ns, MOS
厂商名称 Cubic Memory Cubic Memory
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
最长访问时间 70 ns 70 ns
JESD-30 代码 X-XXMA-X88 X-XXMA-X88
内存密度 268435456 bi 134217728 bi
内存集成电路类型 DRAM CARD DRAM CARD
内存宽度 32 32
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 88 88
字数 8388608 words 4194304 words
字数代码 8000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 55 °C 55 °C
组织 8MX32 4MX32
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO
技术 MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
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