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2N335

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小92KB,共1页
制造商Hi-Tron Semiconductor Corp
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2N335概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN

2N335规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hi-Tron Semiconductor Corp
零件包装代码TO-5
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.025 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)36
JEDEC-95代码TO-5
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)6 MHz

2N335相似产品对比

2N335 2N1149 2N1150 2N1154 2N117 2N118 2N337 2N338
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-22VAR, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-22VAR, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-22VAR, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-22VAR, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-22VAR, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Hi-Tron Semiconductor Corp Hi-Tron Semiconductor Corp Hi-Tron Semiconductor Corp Hi-Tron Semiconductor Corp Hi-Tron Semiconductor Corp Hi-Tron Semiconductor Corp Hi-Tron Semiconductor Corp Hi-Tron Semiconductor Corp
零件包装代码 TO-5 TO-22 TO-22 TO-22 TO-22 TO-22 TO-5 TO-5
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, R-XBCY-W3 CYLINDRICAL, R-XBCY-W3 CYLINDRICAL, R-XBCY-W3 CYLINDRICAL, R-XBCY-W3 CYLINDRICAL, R-XBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数 3 3 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 0.025 A 0.025 A 0.025 A 0.06 A 0.025 A 0.025 A 0.02 A 0.02 A
配置 Single Single Single Single Single Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 36 13 24 19 15 29 55 80
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 R-XBCY-W3 R-XBCY-W3 R-XBCY-W3 R-XBCY-W3 R-XBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 150 °C 175 °C 175 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED METAL METAL
封装形状 ROUND RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.15 W 0.15 W 0.15 W 0.75 W 0.15 W 0.15 W 0.125 W 0.125 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 6 MHz 12 MHz 13 MHz 1 MHz 4 MHz 5 MHz 20 MHz 30 MHz

 
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