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2N2361: 产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小108KB，共1页; 制造商Hi-Tron Semiconductor Corp

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2N2361概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN

2N2361规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Hi-Tron Semiconductor Corp
零件包装代码	BCY
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
最大集电极电流 (IC)	0.05 A
配置	Single
最小直流电流增益 (hFE)	10
JEDEC-95代码	TO-12
JESD-30 代码	O-MBCY-W4
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	4
最高工作温度	125 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.06 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)	1600 MHz

2N2361相似产品对比

	2N2361	2N1742	2N2360	2N2362	2N2398	2N2399
描述	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), Germanium, PNP, TO-9, TO-9, 3 PIN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Hi-Tron Semiconductor Corp	Hi-Tron Semiconductor Corp	Hi-Tron Semiconductor Corp	Hi-Tron Semiconductor Corp	Hi-Tron Semiconductor Corp	Hi-Tron Semiconductor Corp
零件包装代码	BCY	TO-9	BCY	BCY	BCY	BCY
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
针数	3	3	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
最大集电极电流 (IC)	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A
配置	Single	Single	Single	Single	Single	Single
最小直流电流增益 (hFE)	10	10	10	10	10	10
JEDEC-95代码	TO-12	TO-9	TO-12	TO-12	TO-12	TO-12
JESD-30 代码	O-MBCY-W4	O-MBCY-W3	O-MBCY-W4	O-MBCY-W4	O-MBCY-W4	O-MBCY-W4
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
端子数量	4	3	4	4	4	4
最高工作温度	125 °C	100 °C	125 °C	100 °C	100 °C	100 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.06 W	0.06 W	0.06 W	0.06 W	0.06 W	0.06 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	GERMANIUM	GERMANIUM	GERMANIUM	GERMANIUM	GERMANIUM	GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)	1600 MHz	10 MHz	1600 MHz	1600 MHz	1600 MHz	1600 MHz
元件数量	1	-	1	1	1	1
ECCN代码	-	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99
集电极-发射极最大电压	-	20 V	-	20 V	20 V	20 V

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