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2N2360

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小108KB,共1页
制造商Hi-Tron Semiconductor Corp
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2N2360概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN

2N2360规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hi-Tron Semiconductor Corp
零件包装代码BCY
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
针数3
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.05 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-12
JESD-30 代码O-MBCY-W4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
最高工作温度125 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.06 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)1600 MHz

2N2360相似产品对比

2N2360 2N1742 2N2361 2N2362 2N2398 2N2399
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), Germanium, PNP, TO-9, TO-9, 3 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Hi-Tron Semiconductor Corp Hi-Tron Semiconductor Corp Hi-Tron Semiconductor Corp Hi-Tron Semiconductor Corp Hi-Tron Semiconductor Corp Hi-Tron Semiconductor Corp
零件包装代码 BCY TO-9 BCY BCY BCY BCY
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
针数 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A 0.05 A 0.05 A 0.05 A 0.05 A
配置 Single Single Single Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 10 10 10 10 10 10
JEDEC-95代码 TO-12 TO-9 TO-12 TO-12 TO-12 TO-12
JESD-30 代码 O-MBCY-W4 O-MBCY-W3 O-MBCY-W4 O-MBCY-W4 O-MBCY-W4 O-MBCY-W4
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
端子数量 4 3 4 4 4 4
最高工作温度 125 °C 100 °C 125 °C 100 °C 100 °C 100 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.06 W 0.06 W 0.06 W 0.06 W 0.06 W 0.06 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 GERMANIUM GERMANIUM GERMANIUM GERMANIUM GERMANIUM GERMANIUM
标称过渡频率 (fT) 1600 MHz 10 MHz 1600 MHz 1600 MHz 1600 MHz 1600 MHz
元件数量 1 - 1 1 1 1
ECCN代码 - EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
集电极-发射极最大电压 - 20 V - 20 V 20 V 20 V

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