EDI2GG43264V11D,EDI2GG43264V11D pdf中文资料,EDI2GG43264V11D引脚图,EDI2GG43264V11D电路-Datasheet-电子工程世界

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EDI2GG43264V11D: 产品描述SRAM Module, 256KX32, 11ns, CMOS, PDMA120,; 产品类别存储存储; 文件大小359KB，共8页; 制造商EDI [Electronic devices inc.]

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EDI2GG43264V11D概述

SRAM Module, 256KX32, 11ns, CMOS, PDMA120,

EDI2GG43264V11D规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Code	unknow
最长访问时间	11 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDMA-N120
内存密度	8388608 bi
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	32
端子数量	120
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM120
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.02 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.48 mA
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL

EDI2GG43264V11D相似产品对比

	EDI2GG43264V11D	EDI2GG43264V95D	EDI2GG43264V10D	EDI2GG43264V12D
描述	SRAM Module, 256KX32, 11ns, CMOS, PDMA120,	Memory IC,	SRAM Module, 256KX32, 10ns, CMOS, PDMA120,	SRAM Module, 256KX32, 12ns, CMOS, PDMA120,
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknow	unknow
最长访问时间	11 ns	-	10 ns	12 ns
I/O 类型	COMMON	-	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDMA-N120	-	R-PDMA-N120	R-PDMA-N120
内存密度	8388608 bi	-	8388608 bi	8388608 bi
内存集成电路类型	SRAM MODULE	-	SRAM MODULE	SRAM MODULE
内存宽度	32	-	32	32
端子数量	120	-	120	120
字数	262144 words	-	262144 words	262144 words
字数代码	256000	-	256000	256000
工作模式	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	-	70 °C	70 °C
组织	256KX32	-	256KX32	256KX32
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIMM	-	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM120	-	DIMM120	DIMM120
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	-	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL
电源	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.02 A	-	0.02 A	0.02 A
最小待机电流	3.14 V	-	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.48 mA	-	0.48 mA	0.42 mA
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	-	NO	NO
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	-	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	-	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	-	DUAL	DUAL

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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