SRAM Module, 256KX32, 10ns, CMOS, PDMA120,
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | EDI [Electronic devices inc.] |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 最长访问时间 | 10 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDMA-N120 |
| 内存密度 | 8388608 bi |
| 内存集成电路类型 | SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 32 |
| 端子数量 | 120 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 256KX32 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM120 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.02 A |
| 最小待机电流 | 3.14 V |
| 最大压摆率 | 0.48 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| EDI2GG43264V10D | EDI2GG43264V95D | EDI2GG43264V11D | EDI2GG43264V12D | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | SRAM Module, 256KX32, 10ns, CMOS, PDMA120, | Memory IC, | SRAM Module, 256KX32, 11ns, CMOS, PDMA120, | SRAM Module, 256KX32, 12ns, CMOS, PDMA120, |
| 厂商名称 | EDI [Electronic devices inc.] | EDI [Electronic devices inc.] | EDI [Electronic devices inc.] | EDI [Electronic devices inc.] |
| Reach Compliance Code | unknow | unknown | unknow | unknow |
| 最长访问时间 | 10 ns | - | 11 ns | 12 ns |
| I/O 类型 | COMMON | - | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDMA-N120 | - | R-PDMA-N120 | R-PDMA-N120 |
| 内存密度 | 8388608 bi | - | 8388608 bi | 8388608 bi |
| 内存集成电路类型 | SRAM MODULE | - | SRAM MODULE | SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 32 | - | 32 | 32 |
| 端子数量 | 120 | - | 120 | 120 |
| 字数 | 262144 words | - | 262144 words | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 | - | 256000 | 256000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | - | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 256KX32 | - | 256KX32 | 256KX32 |
| 输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIMM | - | DIMM | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM120 | - | DIMM120 | DIMM120 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | - | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 3.3 V | - | 3.3 V | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.02 A | - | 0.02 A | 0.02 A |
| 最小待机电流 | 3.14 V | - | 3.14 V | 3.14 V |
| 最大压摆率 | 0.48 mA | - | 0.48 mA | 0.42 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | - | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO | - | NO | NO |
| 技术 | CMOS | - | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD | - | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm | - | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | - | DUAL | DUAL |
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