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SMCJ-65601EV-25MH

产品描述Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDEBRAZED, DIP-32
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文件大小36KB,共2页
制造商Matra MHS
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SMCJ-65601EV-25MH概述

Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDEBRAZED, DIP-32

SMCJ-65601EV-25MH规格参数

参数名称属性值
厂商名称Matra MHS
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数32
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间25 ns
JESD-30 代码R-CDIP-T32
内存密度1048576 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1MX1
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最小待机电流2 V
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
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