HMT-65767BM-6:R,HMT-65767BM-6:R pdf中文资料,HMT-65767BM-6:R引脚图,HMT-65767BM-6:R电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HMT-65767BM-6:R

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HMT-65767BM-6:R: 产品描述Standard SRAM, 16KX1, 45ns, CMOS, PDSO20; 产品类别存储存储; 文件大小196KB，共8页; 制造商Matra MHS

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HMT-65767BM-6:R概述

Standard SRAM, 16KX1, 45ns, CMOS, PDSO20

HMT-65767BM-6:R规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Matra MHS
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	45 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G20
内存密度	16384 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	20
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
组织	16KX1
输出特性	3-STATE
可输出	NO
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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