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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MV1N6508
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MV1N6508

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 16 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-14
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小80KB，共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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MV1N6508概述

Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 16 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-14

MV1N6508规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明R-CDIP-T14
针数14
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW CAPACITANCE
最小击穿电压60 V
配置COMPLEX
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-CDIP-T14
JESD-609代码e0
元件数量16
端子数量14
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.6 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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1N6508
Isolated Diode Array with
HiRel MQ, MX, MV, and MSP Screening Options
SCOTTSDALE DIVISION
DESCRIPTION
These low capacitance diode arrays are multiple, discrete, isolated junctions fabricated
by a planar process and mounted in a 14-PIN ceramic DIP package for use as steering
diodes protecting up to eight I/O ports from ESD, EFT, or surge by directing them to the
positive side of the power supply line and to ground (see Figure 1). An external TVS
diode may be added between the positive supply line and ground to prevent over-
voltage on the supply rail. They may also be used in fast switching core-driver
applications. This includes computers and peripheral equipment such as magnetic
cores, thin-film memories, plated-wire memories, etc., as well as decoding or encoding
applications. These arrays offer many advantages of integrated circuits such as high-
density packaging and improved reliability. This is a result of fewer pick and place
operations, smaller footprint, smaller weight, and elimination of various discrete
packages that may not be as user friendly in PC board mounting.
IMPORTANT:
For the most current data, consult
MICROSEMI’s
website:
http://www.microsemi.com
APPEARANCE
WWW .
Microsemi
.C
OM
14-PIN Ceramic DIP
FEATURES
•
•
•
•
•
•
•
Hermetic Ceramic Package
Isolated Diodes to Eliminate Cross-Talk Voltages
High Breakdown Voltage V
BR
> 60 V at 10
μA
Low Leakage I
R
< 100nA at 40 V
Low Capacitance C < 8.0 pF
Switching Speeds less than 20 ns
Options for screening in accordance with MIL-PRF-
19500/474 for JAN, JANTX, JANTXV, and JANS are
available by adding MQ, MX, MV, or MSP prefixes
respectively to part numbers. For example, designate
MX1N6508 for a JANTX screen.
•
•
•
•
•
•
•
APPLICATIONS / BENEFITS
High Frequency Data Lines
RS-232 & RS-422 Interface Networks
Ethernet: 10 Base T
Computer I/O Ports
LAN
Switching Core Drivers
IEC 61000-4 Compatible (see circuit in figure 1)
61000-4-2 ESD: Air 15 kV, contact 8 kW
61000-4-4 (EFT): 40 A – 5/50 ns
61000-4-5 (surge): 12 A 8/20
μs
MAXIMUM RATINGS
•
•
•
•
•
•
•
Reverse Breakdown Voltage of 60 Vdc (Note 1 & 2)
Continuous Forward Current of 300 mA dc (Note 1 & 3)
Peak Surge Current (tp=1/120 s) of 500 mA dc (Note 1)
o
400 mW Power Dissipation per Junction @ 25 C
600 mW Power Dissipation per Package @ 25
o
C (Note 4)
Operating Junction Temperature range –65 to +150
o
C
o
Storage Temperature range of –65 to +200 C
NOTE 1:
NOTE 2:
NOTE 3:
NOTE 4:
Each Diode
Pulsed: P
W
= 100 ms max; duty cycle <20%
o
o
Derate at 2.4 mA/ C above +25 C
o
o
Derate at 4.8 mW/ C above +25 C
MECHANICAL AND PACKAGING
•
•
•
•
•
14-PIN Ceramic DIP
Weight 2.05 grams (approximate)
Marking: Logo, part number, date code
Pin #1 to the left of the indent on top of package
Carrier Tubes; 25 pcs (standard)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Per Diode) @ 25
o
C unless otherwise specified
MAXIMUM
FORWARD
VOLTAGE
V
F1
I
F
= 100 mA
(Note 1)
V
MAXIMUM
FORWARD
VOLTAGE
V
F2
I
F
= 500 mA
(Note 1)
V
MAXIMUM
REVERSE
CURRENT
I
R1
V
R
= 40 V
μA
MAXIMUM
CAPACITANCE
(PIN TO PIN)
MAXIMUM
FORWARD
RECOVERY TIME
t
fr
I
F
= 500 mA
ns
MAXIMUM
REVERSE
RECOVERY TIME
trr
I
F
=
I
R
= 200 mA
i
rr
= 20 mA
R
L
= 100 ohms
ns
1N6508
C
t
V
R
= 0 V
F = 1 MHz
pF
PART
NUMBER
1N6508
Copyright
©
2005
6-9-2005 REV B
1
1.7
0.1
8.0
40
20
NOTE 1:
Pulsed: P
W
= 300 us +/- 50 µs, duty cycle <2%, 90 µs after leading edge.
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 1

MV1N6508相似产品对比

MV1N6508 MQ1N6508 MSP1N6508 RG1P-2083-AT201 PAC50002701FAC0 MX1N6508
描述 Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 16 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-14 Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 16 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-14 Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 16 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-14 Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 208000ohm, 2000V, 0.05% +/-Tol, 200ppm/Cel, RESISTOR, WIRE WOUND, 5 W, 1 %, 100 ppm, 2700 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED, ROHS COMPLIANT Trans Voltage Suppressor Diode, 60V V(RWM), Unidirectional, 16 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-14
Reach Compliance Code unknow unknow unknow compliant unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
端子数量 14 14 14 2 2 14
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 155 °C 275 °C 150 °C
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR CYLINDRICAL PACKAGE TUBULAR PACKAGE RECTANGULAR
技术 AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE METAL GLAZE/THICK FILM WIRE WOUND AVALANCHE
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 - 符合 不符合
零件包装代码 DIP DIP DIP - - DIP
包装说明 R-CDIP-T14 R-CDIP-T14 R-CDIP-T14 - , R-CDIP-T14
针数 14 14 14 - - 14
其他特性 HIGH RELIABILITY, LOW CAPACITANCE HIGH RELIABILITY, LOW CAPACITANCE HIGH RELIABILITY, LOW CAPACITANCE - PRECISION HIGH RELIABILITY, LOW CAPACITANCE
最小击穿电压 60 V 60 V 60 V - - 60 V
配置 COMPLEX COMPLEX COMPLEX - - COMPLEX
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON - - SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE - - TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 R-CDIP-T14 R-CDIP-T14 R-CDIP-T14 - - R-CDIP-T14
JESD-609代码 e0 e0 e0 - e3 e0
元件数量 16 16 16 - - 16
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -55 °C - -65 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED - - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE Axial - IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED
极性 UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL - - UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 0.6 W 0.6 W 0.6 W - - 0.6 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified - - Not Qualified
表面贴装 NO NO NO - NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD - Matte Tin (Sn) TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - - THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL - - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 1 - - 1

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