电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

V826616B24SCIX-C0

产品描述Cache DRAM Module, 16MX64, 0.7ns, CMOS, PDMA200
产品类别存储    存储   
文件大小195KB,共14页
制造商ProMOS Technologies Inc
标准  
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

V826616B24SCIX-C0概述

Cache DRAM Module, 16MX64, 0.7ns, CMOS, PDMA200

V826616B24SCIX-C0规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ProMOS Technologies Inc
包装说明DIMM, DIMM200,24
Reach Compliance Codecompli
最长访问时间0.7 ns
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDMA-N200
内存密度1073741824 bi
内存集成电路类型CACHE DRAM MODULE
内存宽度64
端子数量200
字数16777216 words
字数代码16000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM200,24
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
最大压摆率1.41 mA
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.6 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

V826616B24SCIX-C0相似产品对比

V826616B24SCIX-C0 V826616B24SCIW-C0 V826616B24SCTG-D3 V826616B24SCIW-D3 V826616B24SCTG-C0 V826616B24SCIW-D0
描述 Cache DRAM Module, 16MX64, 0.7ns, CMOS, PDMA200 DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, GREEN, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 16MX64, 0.55ns, CMOS, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 16MX64, 0.55ns, CMOS, GREEN, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200 Cache DRAM Module, 16MX64, 0.65ns, CMOS, PDMA200
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 符合 不符合 符合
包装说明 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24
Reach Compliance Code compli compliant compliant compliant compliant compli
最长访问时间 0.7 ns 0.75 ns 0.55 ns 0.55 ns 0.75 ns 0.65 ns
最大时钟频率 (fCLK) 166 MHz 166 MHz 200 MHz 200 MHz 166 MHz 200 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDMA-N200 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200 R-PDMA-N200
内存密度 1073741824 bi 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bi
内存集成电路类型 CACHE DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE CACHE DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64 64 64 64
端子数量 200 200 200 200 200 200
字数 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 16MX64 16MX64 16MX64 16MX64 16MX64 16MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 2.5 V 2.5 V 2.6 V 2.6 V 2.5 V 2.6 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192
最大压摆率 1.41 mA 1.41 mA 1.6 mA 1.6 mA 1.41 mA 1.6 mA
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.6 V 2.6 V 2.5 V 2.6 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm
端子位置 DUAL ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
是否无铅 不含铅 不含铅 含铅 - 含铅 不含铅
厂商名称 ProMOS Technologies Inc - ProMOS Technologies Inc ProMOS Technologies Inc ProMOS Technologies Inc ProMOS Technologies Inc
零件包装代码 - SODIMM SODIMM SODIMM SODIMM -
针数 - 200 200 200 200 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -
访问模式 - SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST -
其他特性 - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH -
JESD-609代码 - e4 e4 e4 e4 e4
功能数量 - 1 1 1 1 -
端口数量 - 1 1 1 1 -
工作模式 - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS -
自我刷新 - YES YES YES YES -
最大供电电压 (Vsup) - 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V -
最小供电电压 (Vsup) - 2.3 V 2.5 V 2.5 V 2.3 V -
端子面层 - Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au)
TI DSP C54X使用经验
C54X使用经验DAVIDLIN 发表于 2002-11-20 22:47 DSP 技术 ←返回版面发信人: xunger (迅哥儿 不断战斗中), 信区: Circuit标 题: C54X使用经验发信站: BBS 水木清华站 (Fri Dec 29 10:19:58 2000)一点个人所得,拿来和大家交流交流,抛砖引玉而已。1.电源:用TPS73HD318,外部接法有参考电路,我没有接电感,工作...
程序天使 DSP 与 ARM 处理器
年轻人不讲武德,过孔阻抗设计不考虑生产能力
作者:一博科技高速先生自媒体成员 王辉东如果电路板是个人,那钻孔就是它的魂,特别是过孔,它是板子的魂魄。在高速PCB的设计中,过孔设计是一个重要因素,并且过孔设计已成为制约高速PCB设计的关键因素之一,如处理不当可能会导致整个设计的失败。过孔是连接多层PCB中不同层走线的导体,低频的时候,过孔不会对信号传输产生影响,但随频率增加和信号上升时间的减小,过孔不能简单的被看成是电气连接,而必须考虑其对信...
yvonneGan PCB设计
电子钟设计详解
[i=s] 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:34 编辑 [/i]电子钟设计...
songping97629 电子竞赛
初学FPGA (4)不完整条件语句与时序电路(EEFPGA学习计划)
……BEGINIF CLK’EVENT AND CLK=’1’THEN Q1=D;END IF;不完整的条件语句:即在条件语句中,没有将所有可能发生的情况给出对应的处理方式。对于这种现象,VHDL综合器理解为:对于不满足的条件,跳过Q1=D不执行,但是需要保持前一次时钟上升沿时Q1被更新的值。对于数字电路来说,保持一个值不变,就需要用到具有存储功能的元件,即引进时序元件保持Q1的值。利用不完整的条...
zl_felix EE_FPGA学习乐园
欢迎fengzhang2002、ddllxxrr成为“电子购物体验”专区斑竹
:victory:其他爱淘的朋友们 期待你们的加入哦~~...
soso 淘e淘
嵌入式GSM短信息接口的软硬件设计
[b]引 言[/b]  SMS(Short Message Service)短信息服务是GSM(Global System for Mobile Communication)系统中提供的一种GSM终端(手机)之间,通过服务中心(Service Center)进行文本信息收发的应用服务,其中服务中心完成信息的存储和转发功能。短信息服务作为GSM网络的一种基本业务,已得到越来越多的系统运营商和系统开发...
songbo 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 126  323  473  765  1365 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved