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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SB772SP
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2SB772SP

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小98KB，共2页
制造商Bytesonic Corporation
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2SB772SP概述

Transistor

2SB772SP规格参数

参数名称属性值
厂商名称Bytesonic Corporation
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)3 A
基于收集器的最大容量45 pF
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)160
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值0.6 W
最大功率耗散 (Abs)0.6 W
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)80 MHz
VCEsat-Max0.5 V

2SB772SP相似产品对比

2SB772SP 2SB772S 2SB772SE 2SB772SQ
描述 Transistor Transistor Transistor Transistor
厂商名称 Bytesonic Corporation Bytesonic Corporation Bytesonic Corporation Bytesonic Corporation
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A 3 A 3 A
基于收集器的最大容量 45 pF 45 pF 45 pF 45 pF
集电极-发射极最大电压 30 V 30 V 30 V 30 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 160 30 200 100
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
功耗环境最大值 0.6 W 0.6 W 0.6 W 0.6 W
最大功率耗散 (Abs) 0.6 W 0.6 W 0.6 W 0.6 W
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 80 MHz 80 MHz 80 MHz 80 MHz
VCEsat-Max 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V

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