Transistor
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Bytesonic Corporation |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
Reach Compliance Code | unknow |
最大集电极电流 (IC) | 3 A |
基于收集器的最大容量 | 45 pF |
集电极-发射极最大电压 | 30 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
JEDEC-95代码 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | PNP |
功耗环境最大值 | 0.6 W |
最大功率耗散 (Abs) | 0.6 W |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 80 MHz |
VCEsat-Max | 0.5 V |
2SB772S | 2SB772SE | 2SB772SP | 2SB772SQ | |
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描述 | Transistor | Transistor | Transistor | Transistor |
厂商名称 | Bytesonic Corporation | Bytesonic Corporation | Bytesonic Corporation | Bytesonic Corporation |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow | unknow |
最大集电极电流 (IC) | 3 A | 3 A | 3 A | 3 A |
基于收集器的最大容量 | 45 pF | 45 pF | 45 pF | 45 pF |
集电极-发射极最大电压 | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 30 | 200 | 160 | 100 |
JEDEC-95代码 | TO-92 | TO-92 | TO-92 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | PNP | PNP | PNP | PNP |
功耗环境最大值 | 0.6 W | 0.6 W | 0.6 W | 0.6 W |
最大功率耗散 (Abs) | 0.6 W | 0.6 W | 0.6 W | 0.6 W |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 80 MHz | 80 MHz | 80 MHz | 80 MHz |
VCEsat-Max | 0.5 V | 0.5 V | 0.5 V | 0.5 V |
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