2680F概述

Fast Page DRAM, 4KX1, 200ns, NMOS, CDIP24, DIP-24

2680F规格参数

	2680F	2680-2F
描述	Fast Page DRAM, 4KX1, 200ns, NMOS, CDIP24, DIP-24	Fast Page DRAM, 4KX1, 350ns, NMOS, CDIP24, DIP-24
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Signetics	Signetics
包装说明	DIP, DIP22,.4	DIP, DIP22,.4
Reach Compliance Code	unknow	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
最长访问时间	200 ns	350 ns
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-GDIP-T24	R-GDIP-T24
JESD-609代码	e0	e0
内存密度	4096 bi	4096 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM
内存宽度	1	1
功能数量	1	1
端口数量	1	1
端子数量	24	24
字数	4096 words	4096 words
字数代码	4000	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	4KX1	4KX1
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP	DIP
封装等效代码	DIP22,.4	DIP22,.4
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	64	64
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO
技术	NMOS	NMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ