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2680-2F

产品描述Fast Page DRAM, 4KX1, 350ns, NMOS, CDIP24, DIP-24
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文件大小169KB,共6页
制造商Signetics
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2680-2F概述

Fast Page DRAM, 4KX1, 350ns, NMOS, CDIP24, DIP-24

2680-2F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Signetics
包装说明DIP, DIP22,.4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间350 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-GDIP-T24
JESD-609代码e0
内存密度4096 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP22,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
认证状态Not Qualified
刷新周期64
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术NMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

2680-2F相似产品对比

2680-2F 2680F
描述 Fast Page DRAM, 4KX1, 350ns, NMOS, CDIP24, DIP-24 Fast Page DRAM, 4KX1, 200ns, NMOS, CDIP24, DIP-24
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Signetics Signetics
包装说明 DIP, DIP22,.4 DIP, DIP22,.4
Reach Compliance Code unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
最长访问时间 350 ns 200 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-GDIP-T24 R-GDIP-T24
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 4096 bit 4096 bi
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM
内存宽度 1 1
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 24 24
字数 4096 words 4096 words
字数代码 4000 4000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 4KX1 4KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP DIP
封装等效代码 DIP22,.4 DIP22,.4
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 64 64
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 NMOS NMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
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